YJD60N04A دیتاشیت

YJD60N04A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YJD60N04A
حجم فایل 66.528 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت YJD60N04A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD60N04A
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 54W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.45nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 60A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 153pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.4mΩ@10V,20A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه